Fabrik\Silizium-Wafer-mono-DE-2005

Referenzen

# 1 ECN 2005

Metadaten

Datenqualität mittel (sekundäre/abgeleitete Daten)
Dateneingabe durch Klaus Schmidt
Quelle Öko-Institut
Review Status Review abgeschlossen
Review durch Lothar Rausch
Letzte Änderung 23.06.2010 17:15:06
Sprache Deutsch
Ortsbezug Deutschland
Technologie Stoffe-Umwandlung
Technik-Status Bestand
Zeitbezug 2005
Produktionsbereich 31 Herstellung von Geräten der Elektrizitätserzeugung, -verteilung u. ä.
SNAP Code 6.2.3 Herstellung elektronischer Komponenten
GUID {CA3ADAAB-977C-4586-BA6C-163262775C9D}

Verknüpfungen

Produkt liefernder Prozess Bedarf   Transport mit Länge
Hauptinput
Silizium Fabrik\Silizium-EG-DE-2005    
Hilfsmaterial
SiC (hochrein) Chem-Anorg\SiC (hochrein) 3,0900000 kg/kg
Stahl Metall\Stahl-mix-DE-2005 2,1300000 kg/kg
Glas-flach Steine-Erden\Glas-flach-DE-2005 14,000*10-3 kg/kg
Quarztiegel Fabrik\Quarztiegel-DE-2000 510,00*10-3 kg/kg
Argon Xtra-generisch\Argon-DE-2005 8,8600000 kg/kg
Wasser (Stoff) Chem-anorg\destilliertes Wasser 92,900000 kg/kg
Waschmittel Xtra-dummy\Waschmittel 340,00*10-3 kg/kg
PEG+DPM (hochrein) Chem-Org\PEG+DPM (hochrein) 4,1900000 kg/kg
NaOH Chem-Anorg\NaOH 50 %(Amal.)-DE-2000 42,000*10-3 kg/kg
HCl Xtra-Rest\HCl 3,9000*10-3 kg/kg
Essigsäure (hochrein) Chem-Org\Essigsäure (hochrein) 56,000*10-3 kg/kg
Wasser (Stoff) Xtra-Trinkwasser\DE-2000 8,6000*10-3 kg/kg
Hilfsenergie
Prozesswärme Gas-Kessel-DE-2005 (Endenergie) 30,560*10-3 MWh/kg
Elektrizität Netz-el-DE-Verteilung-MS-2005 207,00*10-3 MWh/kg
Hauptoutput
Silizium

Kenndaten

Leistung 1,0000000 t/h
Auslastung 5,00000*103 h/a
Lebensdauer 20,000000 a
Flächeninanspruchnahme 0,0000000 m²
Beschäftigte 0,0000000 Personen
Nutzungsgrad 44,300000 %
Leistung von 10,000*10-6 bis 1,00000*109 t/h
Benutzung von 1,0000000 bis 8,76000*103 h/a

Direkte Emissionen

Produktionsabfall 570,00*10-3 kg/kg

Kosten


Kommentar

Herstellung von monokristallinen Siliziumscheiben, Daten nach #1 (Tabelle II). Der Prozess bildet folgende Aktivitäten ab: Polykristallienes Reinstsilizium wird im Czochralski-Prozess aufgeschmolzen und zu einem Einkristall gezogen, der dann zu Wafern zersägt wird mit Sägeverluste von 55,7% Die Daten beziehen sich auf die Herstellung von 1m² mono-Si-Wafer mit einer Dicke von 300 µm und einem Gewicht von 0,7 kg. Vernachlässigt wurde der Input an Klebstoff. Die aufgeführten produktionsbedingten Reststoffe sind Siliziumabfälle. Zusätzlich werden Säge- und Scheideabfälle (Silizium, Schlämme) über eine Rückgewinnungsanlage intern rezykliert, die Größenordnung beträgt 8,6 kg/kg produzierten wafer.